特种极紫外光刻（EUV）腔体内部高纯低压氢气等离子体对多层反射镜（Mo/Si）表面硅烷化减薄率退化表

原始需求记录（尚未验证其中的精度、预测和标准声明）： 实际用途： 监控光刻机内部极其昂贵的钼硅反射镜由于常年经受高能极紫外光和氢自由基冲刷导致的表面剥蚀微米寿命。 核心解决痛点： 反射镜表面哪怕变薄 0.1 纳米，整个 EUV 光束的聚焦相位就会完全崩溃。工具根据累计曝光马赫数和腔体氢气微压，给出反射镜强制报废维护时间表。