半导体特种光刻胶固化（Baked Photoresist）红外多波段非稳态热传导溶剂干缩微米级厚度退化表

原始需求记录（尚未验证其中的精度、预测和标准声明）： 实际用途： 在晶圆涂胶烘烤工序中，计算光刻胶内部有机溶剂快速蒸发导致的膜层由厚变薄的毫米级运动曲线。 核心解决痛点： 厚度控制误差必须在 0.5 纳米以内，烘烤时间差半秒或温度偏半度都会导致光刻胶边缘显影图形发虚发钝、全盘皆输。工具提供高阶扩散传质热力学联立求解器。