先进制程晶圆极薄氧化层（厚度仅1nm左右）特种非接触式电容-电压测试法（C-V）高频漏电流寄生电容非线性抵消工具

原始需求记录（尚未验证其中的精度、预测和标准声明）： 实际用途： 用于测试晶圆栅极氧化层表面真实的有效电荷密度和介电常数标准。 核心解决痛点： 氧化层太薄会导致量子隧道效应引发极大的漏电流，这部分漏电流会完全淹没正常的电容测试信号，使普通电容计读数彻底报废报错。工具在线导入测试幅值相位，应用高级阻抗复数向量拟合公式，剥离出最干净的纯净真实氧化层电容pF数值。